ソリューション ファインダー 技術サポート

2SC0115T2A0-12

90 kW ~ 500 kW インバータ向け最小 IGBT ゲート ドライバ、SCALE-2+ 技術、1200 V IGBT ドライバのガルバニック ソリューション、高度なアクティブ クランプまたは SSD を搭載

アプリケーション

製品詳細

DC/DC 電源および���イッチング シグナル送信向けの新しい 2SC0115T IGBT ドライバ コアは、SCALE-2+ 集積回路および絶縁トランス テクノロジを利用し、フォトカプラを不要とすることでシステムの信頼性とパフォーマンスを改善します。IGBT ドライバ コアが強化された電気絶縁ターゲット システムは、1200 V IGBT モジュールを標準 900 V の定格電圧で動作させ、IEC 60664-1 および IEC 61800-5-1 の PD2 および OV II 要件に準拠します。2SC0115T IGBT ゲート ドライバ コアは、最大 2400 A のモジュールと最大 50 kHz のスイッチング周波数に対応しています。

仕様

仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 50.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-2+
製品タイプ Driver Core
出力電力/チャネル-最大 1.40 W
インターフェイスタイプ Electrical
Options Info

Conformal Coated Version
  2SC0115T2A0C-12

チャネル数 2
Footnote

Dual-Channel IGBT Driver Core for 1200V IGBTs

ゲートピーク電流(最大) +15 A
製品タイプ Board
Product Sub-Type Driver Core
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
N-Channel MOSFET
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2-level Voltage Source
3-level NP-Clamped - Type 1
3-level NP-Clamped - Type 2
Multi-Level NP-Clamped
保護機能
Adv Active Clamping
Short Circuit
UVLO(Sec-side)
UVLO(Pri-side)
ドライブモード Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 15.00 V
ゲートターンオン電圧 +15.00 V
ゲートターンオフ電圧 --8.50 V
時間 - 出力の上昇 6.00 ns
時間 - 出力低下 12.00 ns
分離技術 Galvanic
隔離タイプ Reinforced
ゲートピーク電流(最小) -15